LM-中文资料

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摘要:LM386中文资料PDF简介：LM386中文资料PDF是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin1和pin8位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电...是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin1和pin8脚位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源，输入电压范围可由4V~12V，无作动时仅消耗4mA电流，且失真低。LM386的内部电路图及引脚排列图如图1、图2所示，表1为其电气特性。图1.内部电路图图2引脚功能图极限参数：电源电压（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V电源电压（LM386N-4）22V封装耗散（LM386N）1.25W（LM386M）0.73W（LM386MM-1）0.595W输入电压±0.4V储存温度-65℃至+150℃操作温度0℃至+70℃结温+150℃焊接信息焊接（10秒）260℃小外形封装（SOIC和MSOP）气相（60秒）215℃红外（15秒）220℃热电阻qJC（DIP）37℃/WqJA（DIP）107℃/WqJC（SO封装）35℃/WqJA（SO封装）172℃/WqJA（MSOP封装）210℃/WqJC（MSOP封装）56℃/W表1.LM386电气特性Parameter参数测试条件OperatingSupplyVoltage(VS)最小典型最大单位-操作电源电压LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386-MM-1LM386N-44-12V5-18V48mA-mWQuiescentCurrent(

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