国产半导体重大突破-长鑫存储DRAM芯片宣布投产

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摘要:国产半导体重大突破，长鑫存储DRAM芯片宣布投产据电子元件平台猎芯网最新消息称，近日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8GbDDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。投产的8GbDDR4已经通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。花钱买来的技术在如今的全球半导体产业，三星，SK海力士，美光牢牢把持着内存市场，这三家的专利对后来者形成了一种巨大的壁垒，然而长鑫是如何突破重围的呢？这就要提一家已经破产了的公司——奇梦达。这家公司还活着的时候，是能够与三巨头分庭抗礼的存在，当年全球DRAM技术架构分为两大阵营，一种是沟槽式技术（Trench），以奇梦达为代表，另一种是堆叠式技术（Stacking），包括三星、SK海力士、美光等都是代表。奇梦达在沟槽式技术（Trench）遇到技术瓶颈之后，立刻转向堆叠式技术BuriedWordline(埋入式闸极字元线连结)，并且成功的以65nm工艺试产，生产1Gb的DDR2产品，更重要的是，46nm产品已在实验室进行研发完成，其46nm的BuriedWordline技术与上一代58nm技术相较，晶圆数量增加达到1倍，当时业界认为奇梦达虽然刚从沟槽式，成功转至堆叠式，但BuriedWordline技术非常具有竞争力。可惜的是，奇梦达没有熬到智能机爆发就已经撑不下去了，没有钱投入全新的BuriedWordline技术，公司后来宣布破产收场，成为DRAM产业史上徒

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本文档由匿名用户于 2022-03-17 23:59:32上传分享

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