霍尔传感器

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摘要:第7章霍尔传感器的原理及其应用7.1概述7.2霍尔传感器的测量电路和误差分析7.3霍尔传感器的应用17.1概述1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应，但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展，开始用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器是基于霍尔效应将被测量(如电流、磁场、位移、压力、压差、转速等)转换成电动势输出的一种传感器。不足：转换率较低、温度影响大、要求转换精度较高时必须进行温度补偿优势：结构简单、体积小、坚固、频率响应宽(从直流到微波)、动态范围(输出电动势的变化)大、非接触、使用寿命长、可靠性高、易于微型化和集成化等优点下一页返回27.1概述7.1.1霍尔元件的结构霍尔元件由霍尔片、4根引线和壳体组成。霍尔片：一块矩形半导体单晶薄片，在长度方向两端面焊有a、b两根控制电流端引线，通常用红色导线。其焊接处称为控制电流极(或称激励电流)，要求焊接处接触电阻很小，并呈纯电阻，即欧姆接触。薄片的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线。其焊接处称为霍尔电极，要求欧姆接触，且电极宽度与基片长度之比小于0.1，否则影响输出。壳体：用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。上一页下一页返回37.1概述目前，最常用的霍尔元件材料是锗(Ge},硅(Si)、锑化锢(InSb),砷化锢(InAs）和不同比例亚砷酸锢和磷酸锢组成的In型固熔体等半导体材料。20世纪80年代末出现了一种新型霍尔元件—超晶格结构(砷化铝/砷化稼)的霍尔

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