MEMORY存储芯片IXTH50P10中文规格书

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摘要:StandardPowerMOSFETIXTH50P10IXTT50P10VDSSID25==≤RDS(on)P-ChannelEnhancementModeAvalancheRated-100V-50AΩ55mΩTO-247(IXTH)GSymbolTestConditionsMaximumRatingsVDSSTJ=25°Cto150°C-100VVDGRTJ=25°Cto150°C,RGS=1MΩ-100VVGSSContinuous±20VVGSMTransient±30VID25TC=25°C-50AIDMTC=25°C,pulsewidthlimitedbyTJM-200AIATC=25°C-50AEASTC=25°C30mJPDTC=25°C300W-55...+150150-55...+150°C°C°C300260°C°Cz1.13/10Nm/lb.in.z65ggTJTJMTstgTLTSOLD1.6mm(0.062in.)fromcasefor10sPlasticbodyfor10sMdMountingtorque(TO-247)WeightTO-247TO-268(TAB)DSTO-268(IXTT)GS(TAB)G=GateS=SourceD=DrainTAB=DrainFeatureszzzInternationalstandardpackagesJEDECTO-247ADLowRDS(ON)HDMOSTMprocessRuggedpolysilicongatecellstructureUnclampedInductiveSw

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