MEMORY存储芯片SN74AVC1T45DCKR中文规格书

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摘要:8ParameterMeasurementInformation2×VCCOS1RLFromOutputUnderTestOpenGNDCL(seeNoteA)TESTS1tpdtPLZ/tPZLtPHZ/tPZHOpen2×VCCOGNDRLtwLOADCIRCUITVCCIVCCI/2InputVCCOCLRLVTP1.2V1.5V±0.1V1.8V±0.15V2.5V±0.2V3.3V±0.3V15pF15pF15pF15pF15pF2kW2kW2kW2kW2kW0.1V0.1V0.15V0.15V0.3VVCCI/20VVOLTAGEWAVEFORMSPULSEDURATIONVCCAOutputControl(low-levelenabling)VCCA/2VCCA/20VtPZLVCCIInputVCCI/2VCCI/20VtPLHOutputtPHLVOHVCCO/2VOLVCCO/2tPLZVCCOOutputWaveform1S1at2×VCCO(seeNoteB)VCCO/2VOL+VTPVOLtPZHOutputWaveform2S1atGND(seeNoteB)VOLTAGEWAVEFORMSPROPAGATIONDELAYTIMEStPHZVCCO/2VOH−VTPVOH0VVOLTAGEWAVEFORMSENABLEANDDISABLETIMESNOTES:A.CLincludesprobeandjigcapacitance.B.Waveform1isforanoutputwithinternalconditionssucht

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