物理实验金属薄膜电阻率的测量

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摘要:银薄膜电阻率测量数据记录表膜厚：44.4nm电流I/mA正向电压U+/Mv反向电压U-/mV平均电压U/mV0.1510.1620.1630.1630.1720.1860.1850.1860.1930.2070.2080.2080.2230.2410.2400.2410.2810.3010.3020.3020.3160.3400.3390.3400.3560.3830.3840.3840.4020.4330.4340.4340.4480.4820.4830.483电阻率为216.879（Ω/nm）膜厚：88.8nm电流I/mA正向电压U+/Mv反向电压U-/mV平均电压U/mV0.5320.1210.1260.1241.7430.4040.4090.4073.2640.7590.7640.7624.7441.1051.1101.1085.6421.3141.3201.3177.5391.7581.7631.7619.1632.1382.1432.14110.6792.4922.4972.49512.2212.8542.8592.857电阻率为94.11（Ω/nm）膜厚：133.2nm电流I/mA正向电压U+/Mv反向电压U-/mV平均电压U/mV0.7940.1070.1120.1102.3720.3270.3320.3303.9880.5530.5580.5565.2350.7270.7320.7306.9040.9600.9650.9638.4881.1811.1871.1849.7851.3621.3681.36513.1931.8391.8441

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