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摘要:1室温下某突变PN结的ND＝5×1017cm-3，NA=1x1016cm-3，试求平衡状态下(1)内建电势Vbi(2)耗尽区宽度Xd(3)最大电场强度EmaxVbi=ln2.某硅突变PN结的ND＝1.5×1015cm-3，NA＝1.5×1018cm-3，试求室温下(1)VKN与VKP各为多少？(2)当外加电压V＝0.80V时，Pn(xn)与np(-xp)各为多少?(3)内建电势Vbi为多少?3、某高频晶体管的β0＝100当信号频率f为400MHZ时测得|βw|＝8，且最大功率增益Kpmax=100求:(1)该晶体管的特征频率（2）该晶体管的截止频率(3)该晶体管的最高振荡频率4、某高频晶体管β0＝100、当信号频率f为40MH时测得其|βw|＝5，试求(1)该晶体管的特征频率fT。(6分)(2)当信号频率分别为15MHz和60MHZ时该晶体管的|βw|。5、已知Si-MOSFET具有下列参数:二氧化硅介质层厚度Tox=200nm，L＝12um，Z/L＝40，un=600cm2V-1S-1，饱和时源漏电压VDsat＝8V(1)计算增益因子β(2)计算跨导gm(3)计算最高工作频率fT6、铝栅P沟道Si-MOSFET具有下列参数:二氧化硅介质层厚度Tox=150nm,ND=2x1015cm-3,Qox/g=1011cm-2,L=4um,Z=100um,up=300cm2V-1S-1(1)计算阈值电压VT(2)计算增益因子β(3)计算VGS=-4V时的饱和漏极电流7、耗尽近似、中性近似、大注入效应、小注入效应耗尽近似：空间电荷密度=电离杂质电荷密度中性近似：

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