MEMORY存储芯片M29W320ET70N6E中文规格书

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摘要:32Mbit(4Mbx8or2Mbx16,UniformParameterBlocks,BootBlock)3VsupplyFlashmemoryFeatures■Supplyvoltage–VCC=2.7Vto3.6VforProgram,EraseandRead–VPP=12VforFastProgram(optional)■Accesstimes:70,90ns■Programmingtime–10µsperbyte/wordtypical–Doubleword/QuadruplebyteProgram■■TSOP48(N)12x20mmMemoryBlocks–MemoryArray:63MainBlocks–8ParameterBlocks(ToporBottomLocation)FBGAEraseSuspendandResumemodes–ReadandProgramanotherBlockduringEraseSuspend■UnlockBypassProgramcommand–FasterProduction/BatchProgramming■VPP/WPpinforfastProgramandWriteProtect■TemporaryBlockUnprotectionmode■CommonFlashInterface–64bitSecuritycode■ExtendedmemoryBlock–Extrablockusedassecurityblockortostoreadditionalinformation■Lowpowercons

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